MOS?管的導(dǎo)通條件有哪些？

作者：黑金剛電容    發(fā)布時(shí)間：2023-12-02 20:38:19  訪問(wèn)量：1846  來(lái)源：超級(jí)電容組

MOS管的導(dǎo)通條件有哪些？

1、電壓

MOSFET的導(dǎo)通電壓為VGS，即柵極加正電壓(VD)。

由于MOS管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其輸入電阻很小。因此，只要VGS大于VD就可以使MOSFET導(dǎo)通。當(dāng)VDVgs時(shí)，則mosfet導(dǎo)通;當(dāng)UV。時(shí)(此時(shí)相當(dāng)于開(kāi)漏輸出)，mosfet截止。(注：在實(shí)際應(yīng)用中很少遇到這種情況。)

2、電流

(1)飽和電流

飽和電流是指流過(guò)MOS管的直流或脈沖電流值。對(duì)于單溝道增強(qiáng)型NPN型器件而言，其飽和電流一般不超過(guò)10A/dt左右。而對(duì)于雙溝道增強(qiáng)型NPN型和P溝道增強(qiáng)型NPN型器件而言，其飽和電流可達(dá)幾十A/dt甚至幾百A/dt以上。

(2)閾值電流

閾值電路的作用主要是限制過(guò)載和防止短路現(xiàn)象發(fā)生。對(duì)于雙溝道增強(qiáng)型的NPN型和P溝道增強(qiáng)型的NPN 型器件來(lái)說(shuō)，(如BJT)閾值電路的作用主要是限制過(guò)載和防止短路現(xiàn)象發(fā)生。(注：在實(shí)際應(yīng)用中很少遇到這種情況。)

3、溫度

(1)結(jié)溫

結(jié)溫是指晶體管的基區(qū)、發(fā)射區(qū)和集電極的溫度之和稱(chēng)為結(jié)溫(也稱(chēng)允許工作溫度)。通常情況下結(jié)溫小于°C.如果高于此溫度范圍將導(dǎo)致管子損壞或壽命縮短。(注：在實(shí)際應(yīng)用中很少遇到這種情況。)

(2)環(huán)境溫度

環(huán)境溫度指周?chē)諝獾臏囟瓤偤头Q(chēng)為環(huán)境溫度(又稱(chēng)額定工作溫度)。通常情況下的工作環(huán)境要求室溫應(yīng)0°C～+50°C之間為宜.若高于此范圍將導(dǎo)致管子損壞或壽命縮短.另外還要考慮濕度的影響.濕度過(guò)大也會(huì)影響管子的正常工作.(注：在實(shí)際應(yīng)用中很少遇到這種情況。

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